Le plan original a été réalisé par Dominique Jacovopoulos et utilisait alors des transistors "HEXFET", cad à structure hexagonale interne de type IRF 130 et IRF 9132 de chez INTERNATIONAL RECTFIER.
Caractéristiques générales:
- BP 3 à 1,5 Mhz à +/- 3Db et 3 à 850 Khz à +/- 1Db
-temps de montée 400nS (0,4µS)
-Balayage en tension 105V/µS
-2 X 65W RMS sur 8 ohms
Bien sûr, cet ampli était en kit total, tout à faire, percer la tôle, imaginer l'agencement interne de la bête, J'ai même rajouté une tempo de mise en circuit des gros chimiques de l'alimentation.




